Simulering av laddningstransport i halvledare

Arbetet innebär att inom ramen för ett forskningssamarbete mellan Institutionen för Teknik och Naturvetenskap,Campus Norrköping och Mitthögskolan,Sundsvall,studera modeller för laddningstransport i halvledarmaterial med Monte-Carlo(MC)simulering. Utveckling av en kraftfull MC-simulator för kristallina (ordnade) material som bl a använts för att studera transport i kiselkarbid har pågått ett antal år, och simuleringarna är ett värdefullt hjälpmedel vid studier av såväl grundläggande fysikaliska frågeställningar som egenskaper hos olika halvledarkomponenter.
Oordnade material har ännu inte inkluderats i simulatorn.Det är lämpligt att med hjälp av ett enkelt endimensionellt modellsystem börja studera transportegenskaperna hos dessa material innan mer omfattande MC-studier påbörjas.
Exempel på aktuella problemställningar är
- att undersöka hur man ska behandla fällor (traps) på ett effektivt sätt vid MC-simulering.
- att studera inverkan av dopning på transportegenskaper hos amorft kisel.

Lämpligt för studerande som läst kurser i fasta tillståndets fysik och kvantmekanik (civ.ingprogram med fysikinriktning eller fysikprogrammet),och har intresse för programmering.